中国不断加大对芯片的投资，未来将收获回报（图源：VCG）

中美贸易战让外界看到中国在芯片领域的致命弱点，不过，北京正试图改变这种情况。

综合媒体北京时间8月7日报道，8月4日，中国工信部电子司前司长、紫光集团联席总裁刁石京称，该国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将在第四季度量产。

据悉，长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，并获得中国电子信息博览会（CITE2018）金奖。

中新社称，上述芯片耗资10亿美元，由千人团队耗时2年研发，是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片。

刁石京，目前，芯片生产设备正在进行安装调试，32层三维NAND闪存芯片将在一号芯片生产厂房量产。

他还透露，64层三维闪存芯片研发也在进行中，计划2019年实现量产。

刁石京表示，中国芯片技术落后于世界，但自主研发的脚步始终没有停止，两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国等国家在存储芯片上的差距。

据悉，长江存储由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同投资建设，负责国家存储器基地项目。

根据规划，至2023年，基地产能将达到每月30万片，并形成设计、测试、封装、制造、应用等上下游集群。

另据报道，在今年5月21日，长江存储从荷兰阿斯麦（ASML）订购的光刻机已抵达武汉。该光刻机价值高达7,200万美元，折合人民币高达4.6亿元。

光刻机是生产大规模集成电路的核心设备，对芯片工艺有着决定性影响。据报道，长江存储订购的上述光刻机采用193nm沉浸式设计，可生产20nm至14nm工艺的三维NAND闪存晶圆。

值得注意的是，中共总书记习近平在4月26日视察武汉时强调，真正的大国重器，一定要掌握在自己手里，核心技术、关键技术，化缘是化不来的，要靠自己拼搏。

自美国封杀中兴通讯以来，中国多个机构已推出多款芯片。 4月23日，中国电科38所推出实际运算性能业界同类产品最强的数字信号处理器，即“魂芯二号A”。该处理器被指单核性能超过当前国际市场上同类芯片性能4倍。

5月14日，中国两家科研机构相继宣布成功研发3,500万门级FPGA、7,000万门级FPGA。FPGA是现场可编程门阵列，可满足军用装备、通信设备需求。

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